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J-GLOBAL ID:201601012444697255   Update date: Apr. 05, 2021

Kobayashi Masaharu

コバヤシ マサハル | Kobayashi Masaharu
Affiliation and department:
Homepage URL  (1): http://nano-lsi.iis.u-tokyo.ac.jp/
Research field  (3): Electrical power engineering ,  Electronic devices and equipment ,  Electronic devices and equipment
Research keywords  (8): 機械学習 ,  AI ,  Ferroelectric device ,  CMOS transistor ,  Memory device ,  Low power device ,  IoT ,  Integrated Device
Research theme for competitive and other funds  (9):
  • 2020 - 2023 ナノスケール強誘電体トランジスタの研究開発と機械学習アクセラレータへの応用
  • 2019 - 2022 原子層ヘテロ構造の完全制御成長と超低消費電力・3次元集積デバイスの創出
  • 2018 - 2021 Research and development of nanosheet wireless probe enabling multiple and simultaneous probe for neuron activity signal and neurotransmitter
  • 2018 - 2021 Exploratory research on ultralow power system based on CMOS compatible ferroelectric devices
  • 2018 - 2019 ストレージメモリおよび人工知能ハードウェア応用に向けた強誘電体HfO2トンネル接合メモリのマルチスケールモデリング
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Papers (278):
  • Jixuan Wu, Fei Mo, Takuya Saraya, Toshiro Hiramoto, Masaharu Kobayashi. A First-Principles Study on Ferroelectric Phase Formation of Si-Doped HfO2. 第68回応用物理学会学術講演会(オンライン開催). 2021. 16p-Z26-6
  • FEI MO, Takuya Saraya, Toshiro Hiramoto, Masaharu Kobayashi. Comparative Study on Memory Characteristics of Ferroelectric-HfO2 Transistors with Different Structure of Oxide-Semiconductor Channel. 第68回応用物理学会学術講演会(オンライン開催). 2021. 16p-Z26-2
  • 項 嘉文, 張 文馨, 更屋 拓哉, 入沢 寿史, 平本 俊郎, 小林 正治. 大容量低消費電力メモリ応用に向けたMoS2チャネルを有するHfO2系強誘電体トランジスタの実験実証. 第68回応用物理学会学術講演会(オンライン開催). 2021. 16p-Z26-3
  • 莫非, 更屋 拓哉, 平本 俊郎, 小林 正治. Reliability characteristics of Ferroelectric-HfO2 capacitor with IGZO capping for non-volatile memory application. 第68回応用物理学会学術講演会(オンライン開催). 2021. 16p-Z26-1
  • C. Jin, C. J. Su, Y. J. Lee, P. J. Sung, T. Hiramoto, M. Kobayashi. Study on the Roles of Charge Trapping and Fixed Charge on Subthreshold Characteristics of FeFETs. IEEE Transactions on Electron Devices. 2021. 68. 3. 1304-1312
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MISC (5):
Patents (11):
  • 不揮発性記憶素子
  • Process variability tolerant hard mask for replacement metal gate finFET devices
  • III-V compound semiconductor material passivation with crystalline interlayer
  • Transistor formation using cold welding
  • Method and structure for compound semiconductor contact
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Education (3):
  • 2006 - 2010 Stanford University Electrical Engineering
  • 2004 - 2006 The University of Tokyo Electrical Engineering
  • 2000 - 2004 The University of Tokyo Electronics and Information Engineering
Professional career (1):
  • 電子工学専攻 (Stanford大学)
Work history (9):
  • 2019/10 - 現在 The University of Tokyo
  • 2014/05 - 現在 The University of Tokyo Institute of Industrial Science Associate Professor
  • 2019/04 - 2019/09 The University of Tokyo VLSI (Very Scale Integration Large) Design and Education Center
  • 2010/02 - 2014/04 IBM corporation Watson Research Center Research Staff Member
  • 2006/09 - 2010/01 Stanford University Ph.D degree
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Committee career (11):
  • 2019/04 - 現在 応用物理学会 JJAP/APEX論文編集委員
  • 2018/04 - 現在 電気学会 技術調査専門委員会
  • 2018/04 - 現在 IEEE Electron Device Society (EDS) Japan Joint Chapter 幹事
  • 2018/04 - 現在 IEEE International Electron Device Meeting (IEDM) サブコミッティー
  • 2017/04 - 現在 応用物理学会 プログラム編集委員
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Awards (12):
  • 2020/12 - IEEE EDS IEEE EDS Leo Esaki Award Ferroelectric HfO2 Tunnel Junction Memory with High TER and Multi-level Operation Featuring Metal Replacement Process
  • 2020/11 - キオクシア キオクシア奨励研究デバイス部門 優秀研究賞 ストレージメモリおよび人工知能ハードウェア応用に向けた強誘電体HfO2トンネル接合メモリのマルチスケールモデリング
  • 2020/04 - Ministry of Education, Culture, Sports, Science and Technology The Young Scientist Award of the year of 2020 Research on innovative transistor and memory technologies based on next generation ferroelectric materials
  • 2020/03 - 丸文財団 令和元年度丸文研究奨励賞を受賞 HfO2系強誘電体を用いた次世代集積回路素子の研究
  • 2020/02 - IEEE EDS Japan Joint Chapter IEEE EDS Japan Chapter Student Award "Experimental Demonstration of Ferroelectric HfO2 FET with Ultrathin-body IGZO for High-Density and Low-Power Memory Application"
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Association Membership(s) (4):
THE JAPANESE SOCIETY FOR ARTIFICIAL INTELLIGENCE ,  THE INSTITUTE OF ELECTRICAL ENGINEERS OF JAPAN ,  IEEE ,  THE JAPAN SOCIETY OF APPLIED PHYSICS
※ Researcher’s information displayed in J-GLOBAL is based on the information registered in researchmap. For details, see here.

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