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J-GLOBAL ID：201602000894418041   Reference number：72A0038072

Mobility anisotropy of electrons in inversion layers on oxidized silicon surfaces.

酸化されたSi表面上の反転層における電子の移動度異方性
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Author (4)：
SATO T

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Material：
Phys Rev B  (Physical Review. B. Solid State)

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Volume： 4  Issue： 6  Page： 1950-1960  Publication year： 1971 
JST Material Number： D0746A  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)
Thesaurus term：
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