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J-GLOBAL ID：201602003800788524   Reference number：58A0060205

The Potential of Semiconductor Diodes in High-Fre-quency Communications.

高周波通信系における半導体ダイオードの地位(p-n接合,点接触およびp-i-nダイオードのマイクロ波周波数帯における回路要素的特性)

Author (1)： UHLIR A Jr
Material： Proc Inst Radio Eng Aust  (Proceedings. Institution of Radio Engineers, Australia)
Volume： 46  Issue： 6  Page： 1099-1115  Publication year： 1958 
JST Material Number： D0384A  Document type： Article
Country of issue： Australia (AUS) 

Terms in the title (8)： 高周波 ,  通信系 ,  半導体ダイオード ,  p-n接合 ,  点接触 ,  ダイオード ,  マイクロ波周波数帯 ,  要素