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J-GLOBAL ID：201602006601056580   Reference number：74A0238744

MOS threshold shifting by ion implantation.

イオンインプランテーションによるMOSスレッショールドの推移
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Author (2)：
SIGMON T W

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SWANSON R

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Material：
Solid-State Electron  (Solid-State Electronics)

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Volume： 16  Issue： 11  Page： 1217-1232  Publication year： 1973 
JST Material Number： H0225A  ISSN： 0038-1101  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)
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イオン注入

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イオンインプランテーション

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