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J-GLOBAL ID：201602007602354590   Reference number：69A0221944

Charge pumping in MOS devices.

MOS素子における電荷ポンピング
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Author (2)：
BRUGLER J S

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JESPERS P G A

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Material：
IEEE Trans Electron Devices  (IRE Transactions on Electron Devices)

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Volume： 16  Issue： 3  Page： 297-302  Publication year： 1969 
JST Material Number： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)
Semi thesaurus term：
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