Art

J-GLOBAL ID：201602008628673177   Reference number：74A0245436

Design and performance of microwave amplifiers with GaAs Schottky-gate field-effect transistors.

GaAs Schottkyゲート電界効果トランジスタを用いたマイクロ波増幅器の設計と特性

Author (2)： LIECHTI C A ,  TILLMAN R L
Material： IEEE Trans Microw Theory Tech  (IRE Transactions on Microwave Theory and Techniques)
Volume： 22  Issue： 5  Page： 510-517  Publication year： 1974 
JST Material Number： C0229A  ISSN： 0018-9480  CODEN： IETMAB  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： FET ,  ひ化ガリウム ,  マイクロ波 ,  回路設計 ,  増幅器

Terms in the title (4)： GaAs ,  Schottkyゲート電界効果トランジスタ ,  マイクロ波増幅器 ,  設計