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J-GLOBAL ID：201602009066047118   Reference number：73A0255479

Threshold shift calculations for ion implanted MOS devices.

イオンインプランテーションMOSデバイスのしきい値電圧の推移の計算
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Author (1)：
MACPHERSON M R

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Material：
Solid-State Electron  (Solid-State Electronics)

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Volume： 15  Issue： 12  Page： 1319-1326  Publication year： 1972 
JST Material Number： H0225A  ISSN： 0038-1101  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)
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