Art

J-GLOBAL ID：201602200622571796   Reference number：16A0143357

Distribution of Forming Characteristics in NiO-based ReRAM

Nioを用いたReRAMにおけるフォーミング特性の分布

Author (2)： NISHI YUSUKE (京大) ,  KIMOTO TSUNENOBU (京大)
Material： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
Volume： 115  Issue： 362(EID2015 9-24)  Page： 13-17  Publication year： Dec. 07, 2015 
JST Material Number： S0532B  ISSN： 0913-5685  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *RAM ,  nickel oxide ,  supply ,  switching ,  Weibull distribution ,  filament ,  model ,  *process
Semi thesaurus term： *resistance random access memory ,  nickel oxide ,  *forming process ,  weakest link model ,  resistance switching ,  resistive random access memory ,  voltage application ,  conductive filament

JST classification (2)： Semiconductor integrated circuit  (NC03162T) ,  Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (3)： ReRAM ,  フォーミング ,  分布