Art

J-GLOBAL ID：201602205777949940   Reference number：16A0196159

Simulation of dislocation accumulation in ULSI cells during the formation of thermal oxide film

ULSI素子内の熱酸化膜形成時に生ずる転位の蓄積シミュレーション

Author (4)： SATO MICHIHIRO (北見工大) ,  OHASHI TETSUYA (北見工大) ,  OIKAWA TOORU (コベルコ建機) ,  MARUIZUMI TAKUYA (東京都市大 総合研)
Material： 日本機械学会論文集(Web)  (Bulletin of the JSME (Web))
Volume： 82  Issue： 833  Page： 15-00457(J-STAGE)  Publication year： 2016 
JST Material Number： U0182B  ISSN： 2187-9761  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *VLSI ,  nanostructure ,  *dislocation(crystal) ,  *thermal oxidation ,  semiconductor device ,  oxide film ,  dislocation density ,  isolation(IC) ,  analytical model ,  wafer ,  trench cut(processing) ,  plastic analysis ,  *simulation
Semi thesaurus term： semiconductor device manufacture ,  crystal plasticity ,  STI

JST classification (3)： Lattice defects in semiconductors  (BK12040Q) ,  Semiconductor integrated circuit  (NC03162T) ,  Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (5)： ULSI ,  熱酸化膜 ,  転位 ,  蓄積 ,  シミュレーション