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J-GLOBAL ID：201602206377391289   Reference number：16A0309255

Antiferromagnetic spintronics

反強磁性スピントロニクス

Author (6)： JUNGWIRTH T. (Inst. Physics, Acad. Sci. Czech Republic, Praha, CZE) ,  JUNGWIRTH T. (Univ. Nottingham, Nottingham, GBR) ,  MARTI X. (Inst. Physics, Acad. Sci. Czech Republic, Praha, CZE) ,  WADLEY P. (Univ. Nottingham, Nottingham, GBR) ,  WUNDERLICH J. (Inst. Physics, Acad. Sci. Czech Republic, Praha, CZE) ,  WUNDERLICH J. (Hitachi Cambridge Lab., Cambridge, GBR)
Material： Nature Nanotechnology  (Nat Nanotechnology)
Volume： 11  Issue： 3  Page： 231-241  Publication year： Mar. 2016 
JST Material Number： W2059A  ISSN： 1748-3387  Document type： Article
Article type： 文献レビュー  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *antiferromagnet ,  *spintronics ,  *Torque ,  giant magnetoresistance ,  tunnel effect ,  *relativistic effect ,  *spin-orbit interaction ,  *magnetic memory ,  anomalous Hall effect ,  electric current ,  injection (pour) ,  magnetic reluctance ,  *magnetic sensor ,  insulating material ,  magnetic superconductor ,  sublattice ,  magnetic semiconductor ,  Neel temperature ,  microwave ,  ferromagnetic resonance ,  spin polarization ,  magnetoresistive random access memory ,  insulator ,  spin current ,  *spin torque
Semi thesaurus term： *spin transfer torque ,  *反強磁性メモリ ,  spin injection ,  anisotropic magnetoresistance ,  反強磁性スピントロニクス

JST classification (2)： Magnetoelectric devices  (NC03100X) ,  Semiconductor integrated circuit  (NC03162T)

Terms in the title (2)： 反強磁性 ,  スピントロニクス