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J-GLOBAL ID：201602207007371340   Reference number：16A0340382

誘導結合プラズマ支援RFスパッタリングによるZnO(N)薄膜作製と評価

Author (10)： ISHII YUKI (東海大 大学院工学研究科) ,  KIKUCHI SOTARO (東海大 工) ,  SAKAKI KOSUKE (東海大 工) ,  KANEKO TETSUYA (東海大 大学院工学研究科) ,  KANEKO TETSUYA (東海大 工) ,  OKIMURA KUNIO (東海大 大学院工学研究科) ,  OKIMURA KUNIO (東海大 工) ,  SHINDO HARUO (東海大 大学院工学研究科) ,  ISOMURA MASAO (東海大 大学院工学研究科) ,  ISOMURA MASAO (東海大 工)
Material： 薄膜太陽電池セミナー
Volume： 7th  Page： 84  Publication year： 2016 
JST Material Number： L3188B  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *RF sputtering ,  inductively coupled plasma ,  *zinc oxide ,  nitrogen ,  doping ,  semiconductor thin film ,  electrical conductivity ,  X-ray photoelectron spectrum

JST classification (1)： Oxide thin films  (BK14050P)

Terms in the title (6)： 誘導結合プラズマ ,  支援 ,  RFスパッタリング ,  ZnO ,  薄膜作製 ,  評価