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J-GLOBAL ID：201602208935079060   Reference number：16A0019177

Simulation of Dirac Electron Engineering Device Using Strained Graphene

歪みグラフェンを用いたディラック電子エンジニアリング素子のシミュレーション

Author (6)： SOUMA SATOFUMI (神戸大 大学院工学研究科) ,  TANAKA MIKU (神戸大 大学院工学研究科) ,  ICHIHARA KEISUKE (神戸大 大学院工学研究科) ,  SAKODA SHOTARO (神戸大 大学院工学研究科) ,  SASAOKA KENJI (神戸大 大学院工学研究科) ,  OGAWA MATSUTO (神戸大 大学院工学研究科)
Material： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
Volume： 115  Issue： 292(SDM2015 84-91)  Page： 29-34  Publication year： Oct. 29, 2015 
JST Material Number： S0532B  ISSN： 0913-5685  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *graphene ,  *electron ,  *computer simulation ,  silicon ,  MOSFET ,  consumed electric power ,  Fermi level ,  magnetic field effect ,  band gap ,  FET
Semi thesaurus term： *Dirac electron ,  *device simulation ,  tunnel FET ,  low electric power

JST classification (1)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (5)： 歪み ,  グラフェン ,  ディラック電子 ,  エンジニアリング ,  シミュレーション