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J-GLOBAL ID：201602209390308683   Reference number：16A0211677

The Generation Condition of Nano Crystals in the Si-Ge-Au Film with Extraordinary Large Thermoelectric Power

巨大熱電能を持つSi-Ge-Au薄膜の膜内ナノ結晶の生成条件

Author (5)： OKAMOTO YOICHI (防衛大) ,  TAINOSHO TAKESHI (防衛大) ,  HAGA YOSUKE (防衛大) ,  MIYAZAKI HISASHI (防衛大) ,  MORIMOTO JUN (防衛大)
Material： 日本赤外線学会誌  (Journal of the Japan Society of Infrared Science and Technology)
Volume： 25  Issue： 2  Page： 79-86  Publication year： Feb. 04, 2016 
JST Material Number： L1291A  ISSN： 0916-7900  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *nano crystal ,  *semiconductor material ,  *silicon ,  *Germanium ,  semiconductor thin film ,  *Gold ,  *thermoelectromotive force ,  artificial superlattice ,  thermocouple ,  infrared detector ,  heat treatment ,  quantum effect ,  amorphous state ,  recrystallization ,  optical material ,  artificial material ,  *thermo-electric power ,  artificial periodic structure
Semi thesaurus term： *SiGe ,  artificial periodic structure

JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Electric conduction in crystalline semiconductors  (BM03043X)

Reference (31)：

• 菅義夫 他:熱電半導体 菅義夫編(槙書店,1966)p.422.
• 上村欽一,西田勲夫:熱電半導体とその応用(日刊工業新聞社,1988)p.130.
• (社)応用物理学会:応用物理学のアカデミック・ロードマップ改訂版((社)応用物理学会,2010)p.205.
• 永瀬和宏:防衛技術ジャーナル33(2013)4.
• 加藤久和:日本赤外線学会誌10(2000)12.

Terms in the title (6)： 熱電能 ,  Si ,  Ge ,  Au ,  薄膜 ,  ナノ結晶