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J-GLOBAL ID：201602210510288395   Reference number：16A0471902

Anderson localization of graphene by helium ion irradiation

ヘリウムイオン照射によるグラフェンのAnderson局在化

Author (2)： Naitou Y. (Nanoelectronics Res. Inst., National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Higashi, Tsukuba 305-8562, Japan) ,  Ogawa S. (Nanoelectronics Res. Inst., National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 16-1 Onogawa, Tsukuba 305-8569, Japan)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 108  Issue： 17  Page： 171605-171605-4  Publication year： Apr. 25, 2016 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： Irradiation of a single-layer ...

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Thesaurus term： *localized state ,  *ion irradiation ,  Helium ,  *graphene ,  *monolayer ,  *radiation damage ,  lattice defect ,  substrate (plate) ,  silicon dioxide ,  silicon ,  *metal-insulater transition ,  *Microscopy ,  *electrostatic capacity
Semi thesaurus term： *Anderson局在化 ,  走査容量顕微鏡法

JST classification (1)： Metal-insulator transitions  (BM02110T)

Terms in the title (4)： ヘリウム ,  イオン照射 ,  グラフェン ,  Anderson局在