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J-GLOBAL ID：201602211275120721   Reference number：16A0271464

Preparation of Zinc Oxide Thin Film by Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition

常圧CVD法を用いた酸化亜鉛薄膜の作製

Author (4)： HAYAKAWA HISASHI (東海大 大学院工学研究科) ,  ASAKA TAKASHI (東海大 大学院工学研究科) ,  HIGUCHI MASASHI (東海大 大学院工学研究科) ,  AKIYAMA YASUNOBU (東海大 大学院工学研究科)
Material： Journal of the Society of Inorganic Materials, Japan  (J Soc Inorg Mater Jpn)
Volume： 23  Issue： 381  Page： 75-81  Publication year： Mar. 01, 2016 
JST Material Number： F0275A  ISSN： 1345-3769  CODEN： JSIJFR  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *thin film growth ,  compound semiconductor ,  oxide ,  transparent conducting thin films ,  *zinc oxide ,  indium tin oxide ,  *chemical vapor deposition ,  vapor pressure ,  rate of sedimentation ,  thermal chemical vapor deposition ,  coverage factor ,  *micro structure ,  crystal structure ,  crystallinity ,  P-type semiconductor ,  substrate temperature ,  temperature dependence ,  reaction mechanism ,  diffusion coefficient ,  X-ray diffractometry ,  electron microscopy
Semi thesaurus term： transparent conducting oxide ,  alternative material ,  ITO ,  CVD ,  step coverage ,  microstructure ,  crystallinity ,  Microscopy, Electron, Scanning

JST classification (1)： Oxide thin films  (BK14050P)

Substance index (1)： Zinc acetylacetonate

Reference (17)：

• A. Onodera, H. Satoh, Material Integration, 12, No. 12, 27-32 (1999) .
• Y. Akiyama, T. Sato, N. Imaishi, J. Cryst. Growth, 147, 130-146 (1995) .
• Y. Akiyama, N. Imaishi, Y.-S. Shin, S.-C. Jung, J. Cryst. Growth, 241, 351-362 (2002) .
• Y.-S. Shin, M. Yoshida, Y. Akiyama, N. Imaishi, S.-C. Jung, J. Apple. Phys., 42, 5227- 5232 (2003) .
• Y. Akiyama, K. Shitanaka, H. Murakami, Y.-S. Shin, M. Yoshida, N. Imaishi, Thin Solid Films, 515, 4975-4979 (2007) .

Terms in the title (3)： 常圧CVD ,  酸化亜鉛薄膜 ,  作製