Art

J-GLOBAL ID：201602212387180144   Reference number：16A1330953

SiO₂/Si(001)基板上の単層化合物半導体からの光第二高調波発生(SHG)信号の酸化膜厚みによる影響

Author (7)： MIYAUCHI YOSHIHIRO (防衛大) ,  MORISHITA RYO (横浜国大) ,  TANAKA MASATOSHI (横浜国大) ,  ONO MASAYA (横浜国大) ,  MIZUTANI GORO (北陸先端科学技術大学院大) ,  SUZUKI TAKANORI (防衛大) ,  SUZUKI TAKANORI (横浜国大)
Material： Optics & Photonics Japan講演予稿集(CD-ROM)  (日本光学会年次学術講演会講演予稿集(CD-ROM))
Volume： 2016  Page： ROMBUNNO.1pP1  Publication year： Oct. 15, 2016 
JST Material Number： L6928B  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *Second Harmonic Generation ,  optical signal ,  *oxide film ,  thickness ,  compound semiconductor ,  monolayer ,  *wafer ,  *silicon ,  silicon dioxide ,  semiconductor device ,  semiconductor material ,  *chalcogenide ,  *transition metal compound
Semi thesaurus term： *silicon substrate ,  *transition metal dichalcogenide

JST classification (1)： Nonlinear optics  (BD05000T)

Terms in the title (8)： SiO2 ,  Si ,  単層 ,  化合物半導体 ,  第二高調波発生 ,  SHG ,  酸化 ,  膜厚み