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J-GLOBAL ID：201602212826192988   Reference number：16A0514326

Design and Structure Dependence of High Frequency Response of SOI-PIN Photodiode for Over 20 GHz Responses

20GHz超応答に向けた波長850nm帯SOI-PIN光検出器の設計と周波数応答の構造依存性

Author (3)： MARUYAMA TAKEO (金沢大 大学院自然科学研究科) ,  MITSUNO HIROYA (金沢大 大学院自然科学研究科) ,  IIYAMA KOICHI (金沢大 大学院自然科学研究科)
Material： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
Volume： 116  Issue： 52(LQE2016 1-18)  Page： 33-36  Publication year： May. 12, 2016 
JST Material Number： S0532B  ISSN： 0913-5685  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *photodetector ,  optical fiber cable ,  *semiconductor process ,  *photodiode ,  frequency response ,  transverse direction ,  wavelength
Semi thesaurus term： CMOS process ,  *p-i-n photodiodes ,  *silicon-on-insulator

JST classification (2)： Photometry and photodetectors in general  (BD07031F) ,  Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (7)： 応答 ,  波長 ,  SOI ,  光検出器 ,  設計 ,  周波数応答 ,  構造依存性