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J-GLOBAL ID：201602217212432659   Reference number：16A0281610

らせん状ポリイソシアニドを用いたReRAMの動作機構解析

Author (6)： SAKURAGAWA YASUSHI (北陸先端科学技術大学院大) ,  TAKAGI YUGAKU (金沢大) ,  IKAI TOMOYUKI (金沢大) ,  SAKAI HEISUKE (北陸先端科学技術大学院大) ,  MAEDA KATSUHIRO (金沢大) ,  MURATA HIDEYUKI (北陸先端科学技術大学院大)
Material： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
Volume： 63rd  Page： ROMBUNNO.20A-W351-5  Publication year： Mar. 03, 2016 
JST Material Number： Y0054B  ISSN： 2436-7613  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *polymer ,  helix structure ,  *RAM ,  side chain ,  oligomer ,  polythiophene ,  *ratio ,  mechanism ,  electrical characteristic ,  *route ,  *polyisocyanide ,  oligothiophene ,  current density-voltage characteristics ,  *resistance random access memory
Semi thesaurus term： *resistance random access memory ,  *on-off ratio ,  動作機構 ,  *導電経路

JST classification (1)： Electronic recording,magnetic recording,optical recording  (NC06020F)

Terms in the title (4)： らせん状 ,  ポリイソシアニド ,  ReRAM ,  解析