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J-GLOBAL ID：201602217800883497   Reference number：16A0372595

i-GaAs/n-GaAsエピタキシャル構造におけるコヒーレントLOフォノン-プラズモン結合モードからのテラヘルツ電磁波発生ダイナミクス

Author (3)： SUMIOKA TAKAHIRO (大阪市大 大学院) ,  TAKEUCHI HIDEO (大阪市大 大学院) ,  NAKAYAMA MASAAKI (大阪市大 大学院)
Material： 日本物理学会講演概要集(CD-ROM)  (日本物理学会春季大会講演概要集(CD-ROM))
Volume： 70  Issue： 2  Page： ROMBUNNO.16PCF-11  Publication year： Sep. 24, 2015 
JST Material Number： S0671C  ISSN： 2189-079X  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *semiconductor thin film ,  *gallium arsenide ,  *MOCVD ,  substrate (plate) ,  homoepitaxy ,  crystal orientation ,  *generation ,  dynamics ,  Ti-sapphire laser ,  *pulsed laser irradiation ,  spectrum ,  interaction ,  Fourier spectrum ,  phonon-plasmon interaction ,  *THz radiation
Semi thesaurus term： *terahertz wave generation

JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Other optical properties of condensed matter  (BM08110J)

Terms in the title (7)： GaAs ,  エピタキシャル ,  コヒーレント ,  LOフォノン ,  プラズモン結合 ,  テラヘルツ電磁波 ,  ダイナミクス