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J-GLOBAL ID：201602219705350305   Reference number：16A0942603

窒素極性InN(000-1)薄膜結晶性のMOVPE成長温度依存性

Author (3)： AKASAKA TETSUYA (NTT 物性科学基礎研) ,  SCHIED M. (NTT 物性科学基礎研) ,  KUMAKURA KAZUHIDE (NTT 物性科学基礎研)
Material： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
Volume： 77th  Page： ROMBUNNO.16a-P5-9  Publication year： Sep. 01, 2016 
JST Material Number： Y0055B  ISSN： 2758-4704  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： polarity ,  *indium nitride ,  semiconductor thin film ,  crystallinity ,  MOCVD ,  temperature dependence ,  *Temperature ,  *thin film growth ,  compound semiconductor ,  dislocation density ,  transmission electron microscope ,  photoluminescence ,  *growing temperature ,  nitride semiconductor ,  cross-sectional transmission electron microscope
Semi thesaurus term： crystallinity ,  metal organic vapor phase epitaxy ,  cross-sectional transmission electron microscope ,  photoluminescence

JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (8)： 窒素 ,  極性 ,  InN ,  薄膜 ,  結晶性 ,  MOVPE ,  成長 ,  温度依存性