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J-GLOBAL ID：201602220888404847   Reference number：16A1004612

Local protrusions formed on Si(111) surface by surface melting and solidification under applied tensile stress

印加された引張応力下の表面融解および固化によるSi(111)表面上に形成される局所的隆起

Author (2)： Nishimura T. (National Institute of Technology, Suzuka College, Shiroko-cho, Suzuka, Mie 510-0294, Japan) ,  Tomitori M. (School of Materials Science, Japan Advanced Institute of Science and Technology, 1-1 Nomi, Ishikawa 923-1292, Japan)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 109  Issue： 12  Page： 121601-121601-4  Publication year： Sep. 19, 2016 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： The surface structure and comp...

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Thesaurus term： *uplift(phenomenon) ,  tensile stress ,  *surface melting ,  *freezing and solidification ,  *silicon ,  surface ,  height ,  Auger electron spectroscopy ,  impurity ,  *diffusion in solid ,  segregation(concentration distribution)
Semi thesaurus term： Auger electron spectroscopy

JST classification (2)： Surface structure of semiconductors  (BK15030A) ,  Diffusion in solids in general  (BL06021L)

Terms in the title (6)： 印加 ,  引張応力 ,  表面融解 ,  固化 ,  Si ,  隆起