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J-GLOBAL ID：201602221474215010   Reference number：16A0366578

Crystallization Conditions of α-,β-, and γ-Ga₂Se₃ Modifications

α型,β型,γ型Ga₂Se₃結晶の結晶化条件

Author (5)： TAKUMI MASAHARU (福岡大 理) ,  HATTORI NORIYUKI (福岡大 理) ,  YAMADA TARO (福岡大 理) ,  NISHIMURA HIDEKI (福岡大 理) ,  NAGATA KIYOFUMI (福岡大 理)
Material： 福岡大学理学集報  (Fukuoka University Science Reports)
Volume： 46  Issue： 1  Page： 13-20  Publication year： Mar. 31, 2016 
JST Material Number： L4851A  ISSN： 0386-118X  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *gallium compound ,  *selenide(chalcogenide) ,  compound semiconductor ,  *crystallization ,  *structural phase transition ,  zincblende type crystal ,  crystal structure ,  temperature ,  heat treatment ,  vacancy ,  monoclinic system ,  rhombic system ,  temperature dependence ,  time dependence ,  X-ray diffraction
Semi thesaurus term： gallium selenide ,  *三セレン化二ガリウム ,  thermal annealing ,  heat treatment temperature ,  powder X-ray diffraction

JST classification (2)： Crystal structure of other inorganic compounds  (BK07030J) ,  Solid phase transitions  (BL04020G)

Terms in the title (3)： 型 ,  結晶 ,  結晶化