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J-GLOBAL ID：201602225275047380   Reference number：16A1286139

AlGaSb based solar cells grown on GaAs by Molecular Beam Epitaxy

分子ビームエピタクシーによりGaAs上に成長させたAlGaSb系太陽電池【Powered by NICT】

Author (8)： Vadiee Ehsan (Arizona State University, Tempe, AZ 85280, USA) ,  Zhang Chaomin (Arizona State University, Tempe, AZ 85280, USA) ,  Faleev Nikolai N. (Arizona State University, Tempe, AZ 85280, USA) ,  Addamane Sadhvikas (University of New Mexico, Albuquerque, NM 87108, USA) ,  Wang Shuo (Arizona State University, Tempe, AZ 85280, USA) ,  Ponce Fernando A. (Arizona State University, Tempe, AZ 85280, USA) ,  Balakrishnan Ganesh (University of New Mexico, Albuquerque, NM 87108, USA) ,  Honsberg Christiana B. (Arizona State University, Tempe, AZ 85280, USA)
Material： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conf Proc)
Volume： 2016  Issue： PVSC  Page： 2313-2316  Publication year： 2016 
JST Material Number： W2441A  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： A goal for concentrating photo...

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Thesaurus term： band gap ,  focusing (light) ,  *Antimony ,  *gallium arsenide ,  *solar cell ,  *gallium antimonide ,  solar photovoltaic generation ,  defect density ,  indium phosphide ,  *MBE growth ,  semi insulating ,  band alignment ,  electron mobility
Semi thesaurus term： デバイス特性 ,  高効率 , 【Automatic Indexing@JST】

JST classification (2)： Signal theory  (ND02020G) ,  Graphic and image processing in general  (JE04010I)

Terms in the title (4)： 分子ビームエピタクシー ,  GaAs ,  成長 ,  太陽電池