Art

J-GLOBAL ID：201602226082296527   Reference number：16A0410452

Role of self-trapped holes in the photoconductive gain of β-gallium oxide Schottky diodes

β-酸化ガリウムSchottkyダイオードの光伝導利得における自己捕獲正孔の役割

Author (5)： ARMSTRONG Andrew M. (Sandia National Laboratories, Albuquerque, New Mexico 87185, USA) ,  CRAWFORD Mary H. (Sandia National Laboratories, Albuquerque, New Mexico 87185, USA) ,  JAYAWARDENA Asanka (Dep. of Physics, Auburn Univ., Auburn, Alabama 36849, USA) ,  AHYI Ayayi (Dep. of Physics, Auburn Univ., Auburn, Alabama 36849, USA) ,  DHAR Sarit (Dep. of Physics, Auburn Univ., Auburn, Alabama 36849, USA)
Material： Journal of Applied Physics  (Journal of General Physics and its Application to Other Sciences and to Industry)
Volume： 119  Issue： 10  Page： 103102-103102-6  Publication year： Mar. 14, 2016 
JST Material Number： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： gallium oxide ,  *Schottky barrier diode ,  *photoconductivity ,  gain ,  carrier capture ,  positive hole ,  response characteristic ,  photodetection ,  current-voltage characteristic ,  yield (mechanics) ,  collisional ionization ,  electrostatic capacity ,  band gap ,  bias ,  photodetector ,  photocapacitance
Semi thesaurus term： *Schottky barrier diode ,  avalanche breakdown ,  reverse bias ,  self trapping

JST classification (2)： Diodes  (NC03050R) ,  Photoconduction,photoelectromotive force  (BM03050J)

Terms in the title (7)： β-酸化ガリウム ,  Schottkyダイオード ,  光伝導 ,  利得 ,  自己捕獲 ,  正孔 ,  役割