Art

J-GLOBAL ID：201602229674819019   Reference number：16A1089694

T-FADを用いた窒素含有DLC膜の作製

Author (19)： IIJIMA YUUSHI (豊橋技科大) ,  IMAI TAKAHIRO (豊橋技科大) ,  ISONO RYO (豊橋技科大) ,  HARIGAI TOORU (豊橋技科大) ,  SUDA YOSHIYUKI (豊橋技科大) ,  TAKIKAWA HIROFUMI (豊橋技科大) ,  KAMIYA MASAO (伊藤光学工業) ,  TAKI MAKOTO (オンワード技研) ,  HASEGAWA YUUSHI (オンワード技研) ,  TSUJI NOBUHIRO (オンワード技研) ,  KANEKO SATORU (神奈川県産技セ) ,  KUNITSUGU SHINSUKE (岡山県工技セ) ,  KAWAGUCHI MASAHIRO (都産技研) ,  HABUCHI HITOE (岐阜工高専) ,  KIYOHARA SHUJI (舞鶴工高専) ,  ITO MIKIO (東京工高専) ,  YICK Sam (CSIRO) ,  BENDAVID Avi (CSIRO) ,  MARTIN Phil (CSIRO)
Material： 電気・電子・情報関係学会東海支部連合大会講演論文集(CD-ROM)  (電気・電子・情報関係学会東海支部連合大会(CD-ROM))
Volume： 2016  Page： ROMBUNNO.L3-5  Publication year： Sep. 01, 2016 
JST Material Number： L1634B  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： ion plating ,  *DLC film ,  *diamond-like carbon ,  content (quantity) ,  electrical resistivity ,  Raman spectrum ,  filtered arc deposition
Semi thesaurus term： nitrogen content

JST classification (2)： Carbon and its compounds  (YB02060D) ,  Thin films in general  (BK14010X)

Terms in the title (4)： FAD ,  窒素 ,  DLC膜 ,  作製