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J-GLOBAL ID：201602234300806027   Reference number：16A0495978

Comparing SiC MOSFET, IGBT and Si MOSFET in LV distribution inverters

低電圧DCインバータに対するSiC MOSFET,IGBT,ならびにSi MOSFETの比較

Author (3)： ROSCOE N. M. (Univ. Strathclyde, Glasgow, GBR) ,  ZHONG Y. (Univ. Strathclyde, Glasgow, GBR) ,  FINNEY S. J. (Univ. Strathclyde, Glasgow, GBR)
Material： Annual Conference of the IEEE Industrial Electronics Society  (Annual Conference on IEEE Industrial Electronics Society)
Volume： 41st Vol.1  Page： 743-748  Publication year： 2015 
JST Material Number： H0475B  ISSN： 1553-572X  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： voltage ,  *inverter ,  silicon carbide ,  silicon ,  *MOSFET ,  *IGBT ,  direct current ,  performance evaluation ,  electrical loss ,  electromagnetic compatibility(interference) ,  signal phenomenon ,  overshoot ,  electric power quality ,  *circuit design
Semi thesaurus term： electrical low voltage ,  circuit configuration ,  *multi-level inverter ,  ringing

JST classification (2)： Power converters  (NB08030B) ,  Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (7)： 低電圧 ,  DC ,  インバータ ,  SiC ,  MOSFET ,  IGBT ,  Si