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J-GLOBAL ID：201602235430965941   Reference number：16A0403364

Low-temperature charge pumping for SiO₂/Si interface states

シリコン酸化膜界面欠陥の低温チャージポンピング

Author (3)： WATANABE TOKINOBU (富山大) ,  HORI MASAHIRO (富山大) ,  ONO YUKINORI (富山大)
Material： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
Volume： 115  Issue： 469(ED2015 121-129)  Page： 23-26  Publication year： Feb. 25, 2016 
JST Material Number： S0532B  ISSN： 0913-5685  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *excitation (physics) ,  electric charge ,  *low temperature ,  defect ,  interface (surface) ,  *SOI structure ,  gate (semiconductor) ,  PIN diode ,  current measurement
Semi thesaurus term： back gate ,  interface defect ,  *charge pumping ,  current measurement

JST classification (3)： Metal-insulator-semiconductor structures  (BM03085X) ,  Measurement,testing and reliability of solid-state devices  (NC03040G) ,  Diodes  (NC03050R)

Terms in the title (5)： シリコン酸化膜 ,  界面欠陥 ,  低温 ,  チャージ ,  ポンピング