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J-GLOBAL ID：201602236908812190   Reference number：16A1216931

Effect of grain boundary character of multicrystalline Si on external and internal (phosphorus) gettering of impurities

不純物の外部/内部(燐)ゲッタリングに及ぼす多結晶Siの結晶粒界特性の影響

Author (4)： Joonwichien Supawan (Graduate School of Engineering, Nagoya University, Nagoya, 464-8603, Japan) ,  Takahashi Isao (Graduate School of Engineering, Nagoya University, Nagoya, 464-8603, Japan) ,  Kutsukake Kentaro (Institute for Materials Research (IMR), Tohoku University, Sendai, 980-8577, Japan) ,  Usami Noritaka (Graduate School of Engineering, Nagoya University, Nagoya, 464-8603, Japan)
Material： Progress in Photovoltaics  (Progress in Photovoltaics: Research and Applications)
Volume： 24  Issue： 12  Page： 1615-1625  Publication year： Dec. 2016 
JST Material Number： W0463A  ISSN： 1062-7995  CODEN： PPHOED  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： impurity ,  *gettering ,  *polysilicon ,  *grain boundary ,  phosphorus ,  diffusion in solid ,  ingot ,  crystal growth ,  photoluminescence

Author keywords (4)： artificial grain boundary ,  phosphorus diffusion gettering ,  internal gettering ,  multicrystalline Si

JST classification (1)： Lattice defects in semiconductors  (BK12040Q)

Terms in the title (6)： 不純物 ,  燐 ,  ゲッタリング ,  多結晶Si ,  結晶 ,  粒界特性