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J-GLOBAL ID：201602237637049868   Reference number：16A1224221

i-GaAs/n-GaAsとi-GaAs/p-GaAsエピタキシャル構造におけるテラヘルツ電磁波放射特性の対比

Author (3)： SUMIOKA TAKAHIRO (大阪市大 大学院) ,  TAKEUCHI HIDEO (大阪市大 大学院) ,  NAKAYAMA MASAAKI (大阪市大 大学院)
Material： 日本物理学会講演概要集(CD-ROM)  (日本物理学会春季大会講演概要集(CD-ROM))
Volume： 71  Issue： 2  Page： ROMBUNNO.15aAL-4  Publication year： Sep. 23, 2016 
JST Material Number： S0671C  ISSN： 2189-079X  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *MOCVD ,  compound semiconductor ,  semiconductor thin film ,  *gallium arsenide ,  *N-type semiconductor ,  *P-type semiconductor ,  epitaxy ,  *Electromagnetic Radiation ,  interaction ,  plasmon ,  phonon ,  phonon-plasmon interaction ,  *THz radiation ,  longitudinal optical phonon
Semi thesaurus term： *Terahertz Radiation ,  電子プラズモン ,  LO phonon

JST classification (1)： Electromagnetism in general  (BD01020N)

Terms in the title (5)： GaAs ,  エピタキシャル ,  テラヘルツ電磁波 ,  放射特性 ,  対比