Art

J-GLOBAL ID：201602237842438522   Reference number：16A1324248

Electron emission from conduction band of heavily phosphorus doped diamond negative electron affinity surface

高濃度リンドープしたダイヤモンド負電子親和性の伝導バンドからの電子放出

Author (4)： YAMADA Takatoshi (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Tsukuba, JPN) ,  MASUZAWA Tomoaki (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  MIMURA Hidenori (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  OKANO Ken (International Christian Univ., Tokyo, JPN)
Material： Journal of Physics. D. Applied Physics  (J Phys D)
Volume： 49  Issue： 4  Page： 045102,1-5  Publication year： Feb. 03, 2016 
JST Material Number： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *diamond ,  doping ,  phosphorus ,  *electron affinity ,  photoelectron spectrum ,  *field emission ,  surface potential ,  potential barrier
Semi thesaurus term： hydrogen-termination ,  *negative electron affinity

JST classification (1)： Thermoionic emission and field emission  (BM09020S)

Terms in the title (7)： 高濃度 ,  リン ,  ドープ ,  ダイヤモンド ,  負電子親和性 ,  伝導バンド ,  電子放出