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J-GLOBAL ID：201602238910271161   Reference number：16A0769528

Ultra-Fine Pitch 3D Integration Using Face-to-Face Hybrid Wafer Bonding Combined with a Via-Middle Through-Silicon-Via Process

中Si貫通電極プロセスによる対面ハイブリッドウエハボンディングを用いた超微細ピッチ3D集積化【Powered by NICT】

Author (9)： Kim Soon-Wook ,  Detalle Mikael ,  Peng Lan ,  Nolmans Philip ,  Heylen Nancy ,  Velenis Dimitrios ,  Miller Andy ,  Beyer Gerald ,  Beyne Eric
Material： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conf Proc)
Volume： 2016  Issue： ECTC  Page： 1179-1185  Publication year： 2016 
JST Material Number： W2441A  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： High performance 3D integratio...

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Thesaurus term： low temperature ,  dielectrics ,  pattern formation ,  annealing(heat treatment) ,  interface(surface) ,  optimization ,  interconnection ,  bond strength ,  *three dimension ,  via hole ,  chemical mechanical polishing ,  copper
Semi thesaurus term： 表面活性化 ,  ダマシン ,  *シリコン貫通ビア , 【Automatic Indexing@JST】

JST classification (1)： Speach processing  (JE05000E)

Terms in the title (6)： Si貫通電極 ,  プロセス ,  対面 ,  ウエハボンディング ,  微細ピッチ ,  3D集積化