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J-GLOBAL ID：201602240198535562   Reference number：16A1374238

Analytical Switching Loss Model for Superjunction MOSFET With Capacitive Nonlinearities and Displacement Currents for DC-DC Power Converters

DC-DC電力コンバータに対する容量非線形性と変位電流を有する超接合MOSFETに対する分析的スイッチング損失モデル

Author (7)： Castro Ignacio (Dept. de Ing. Electr., Univ. de Oviedo, Gijon, Spain) ,  Roig Jaume (Corp. R&D, Power Technol. Centre, ON Semicond., Oudenaarde, Belgium) ,  Gelagaev Ratmir (Dept. of Electr. Eng., KU Leuven, Heverlee, Belgium) ,  Vlachakis Basil (Corp. R&D, Power Technol. Centre, ON Semicond., Oudenaarde, Belgium) ,  Bauwens Filip (Corp. R&D, Power Technol. Centre, ON Semicond., Oudenaarde, Belgium) ,  Lamar Diego G. (Dept. de Ing. Electr., Univ. de Oviedo, Gijon, Spain) ,  Driesen Johan (Dept. of Electr. Eng., KU Leuven, Heverlee, Belgium)
Material： IEEE Transactions on Power Electronics  (IEEE Trans Power Electron)
Volume： 31  Issue： 3  Page： 2485-2495  Publication year： 2016 
JST Material Number： D0211B  ISSN： 0885-8993  CODEN： ITPEE8  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： capacity ,  nonlinearity ,  *DC-DC converter ,  *power converter ,  electric current ,  semiconductor junction ,  MOSFET ,  switching loss ,  *switching ,  *electrical loss ,  printed board ,  characterization ,  effect
Semi thesaurus term： hard switching ,  printed circuit board ,  parasitic effect ,  super junction ,  *power converter ,  power loss ,  displacement current

Author keywords (4)： nonlinear circuit and current measurements ,  Power MOSFET ,  analytical Models ,  capacitors

JST classification (1)： Power converters  (NB08030B)

Terms in the title (8)： DC ,  DC電力 ,  コンバータ ,  非線形性 ,  変位電流 ,  MOSFET ,  スイッチング損失 ,  モデル