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J-GLOBAL ID：201602240272460626   Reference number：16A1286147

Device and material characteristics of GalnP solar cells grown on Ge substrates by molecular beam epitaxy

分子ビームエピタクシーによるGe基板上に成長させたGaInP太陽電池の素子特性と材料特性【Powered by NICT】

Author (5)： Masuda Taizo (Toyota Motor Corporation, Susono, Shizuoka, 410-1193, Japan) ,  Faucher Joseph (Yale University, New Haven, CT, 06520, USA) ,  Simmonds Paul J. (Yale University, New Haven, CT, 06520, USA) ,  Okumura Kenichi (Toyota Motor Corporation, Susono, Shizuoka, 410-1193, Japan) ,  Lee Minjoo Larry (Yale University, New Haven, CT, 06520, USA)
Material： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conf Proc)
Volume： 2016  Issue： PVSC  Page： 2344-2348  Publication year： 2016 
JST Material Number： W2441A  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： We investigated the characteri...

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Thesaurus term： threading dislocation ,  transmission electron microscope ,  *solar cell ,  gallium arsenide ,  lattice mismatch ,  *MBE growth
Semi thesaurus term： 高品質 ,  短絡電流密度 ,  開回路電圧 ,  材料特性 ,  *デバイス特性 ,  *InGaP ,  *ゲルマニウム基板 , 【Automatic Indexing@JST】

JST classification (9)： Proteins and peptides in general  (EB03010N) ,  Research methods in biological sciences in general  (EA03010K) ,  Solar cell  (NC03084O) ,  Communication measurement in general  (ND03000R) ,  Pattern recognition  (JE07000S) ,  Signal theory  (ND02020G) ,  Ionospheric propagation  (ND05020B) ,  Biometry  (EL03020C) ,  Theory of probability  (AB09000O)

Terms in the title (7)： 分子ビームエピタクシー ,  Ge基板 ,  成長 ,  GaInP ,  太陽電池 ,  素子特性 ,  材料特性