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J-GLOBAL ID：201602243974663353   Reference number：16A0970190

スパッタ法による不揮発性メモリ用高配向相変化材料薄膜の成膜技術の開発

Author (5)： SAITO YUTA (産業技術総合研) ,  MIYATA NORIYUKI (産業技術総合研) ,  FONS Paul (産業技術総合研) ,  KOLOBOV Alexander V. (産業技術総合研) ,  TOMINAGA JUNJI (産業技術総合研)
Material： 日本金属学会講演概要(CD-ROM)  (Collected Abstracts of Spring Meeting of the Japan Institute Metals and Materials (CD-ROM))
Volume： 159th  Page： ROMBUNNO.S3.20  Publication year： Sep. 07, 2016 
JST Material Number： S0988B  ISSN： 2433-3093  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *nonvolatile memory ,  *chalcogenide ,  sputtered deposition ,  *evaporated film ,  *substrate(plate) ,  silicon ,  silicon oxide ,  tungsten ,  *preferred orientation ,  temperature
Semi thesaurus term： c-axis orientation ,  deposition temperature ,  *phase change memory ,  phase change material ,  titanium nitride

JST classification (1)： Semiconductor integrated circuit  (NC03162T)

Terms in the title (7)： スパッタ法 ,  不揮発性メモリ ,  配向 ,  相変化材料 ,  薄膜 ,  成膜 ,  開発