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J-GLOBAL ID：201602246182355021   Reference number：16A0942003

強誘電体をゲート絶縁膜としたホウ素ドープダイヤモンドFET構造の作製

Author (8)： KARAYA RYOTA (金沢大) ,  FURUICHI HIROKI (金沢大) ,  BABA IKKI (金沢大) ,  MORI YOSUKE (金沢大) ,  YOSHIDA RYO (金沢大) ,  NAKAJIMA TAKASHI (東京理大) ,  TOKUDA NORIO (金沢大) ,  KAWAE TAKESHI (金沢大)
Material： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
Volume： 77th  Page： ROMBUNNO.15p-P2-12  Publication year： Sep. 01, 2016 
JST Material Number： Y0055B  ISSN： 2758-4704  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *FET ,  *Diamond ,  *MISFET ,  *ferroelectric FET ,  *boron doped diamond ,  *ore ,  *precious stone
Semi thesaurus term： *ferroelectric FET ,  *boron doped diamond

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (5)： 強誘電体 ,  ゲート絶縁膜 ,  ホウ素ドープダイヤモンド ,  FET ,  作製