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J-GLOBAL ID：201602246883754273   Reference number：16A1038137

Optical Evaluation of Miniband Formation in InGaAs/GaAsP Quantum Well Solar Cells

InGaAs/GaAsP系量子井戸太陽電池におけるミニバンド形成過程とその光学的評価

Author (8)： MATSUOCHI KOKI (宮崎大) ,  NAKAMURA TSUBASA (宮崎大) ,  TAKEDA HIDEAKI (宮崎大) ,  TOPRASERTPONG Kasidit (東大) ,  SUGIYAMA MASAKAZU (東大) ,  NAKANO YOSHIAKI (東大 先端科学技術研究セ) ,  IKARI TETSUO (宮崎大) ,  FUKUYAMA ATSUHIKO (宮崎大)
Material： 宮崎大学工学部紀要(Web)  (Memoirs of Faculty of Engineering, University of Miyazaki (Web))
Issue： 45  Page： 119-123 (WEB ONLY)  Publication year： Jul. 29, 2016 
JST Material Number： U0521A  ISSN： 0540-4924  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *solar cell ,  indium gallium arsenide ,  gallium compound ,  arsenide ,  phosphide ,  *band structure ,  *superlattice ,  multiple quantum well ,  layer ,  wave function ,  spectroscopy ,  photoluminescence ,  photoreflectance ,  optical property ,  red shift ,  exciton ,  electronic state ,  impurity level ,  *quantum well solar battery ,  gallium arsenide phosphide ,  *mini-band
Semi thesaurus term： GaAsP ,  *miniband structure ,  barrier layer ,  photothermal spectroscopy

JST classification (2)： Solar cell  (NC03084O) ,  Measurement,testing and reliability of solid-state devices  (NC03040G)

Terms in the title (6)： InGaAs ,  GaAsP ,  量子井戸太陽電池 ,  ミニバンド ,  形成過程 ,  光学的評価