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J-GLOBAL ID：201602257063480140   Reference number：16A0449225

Growth and characterization of Sn-containing group-IV semiconductor thin film

Sn系IV族半導体混晶薄膜の成長と物性評価

Author (9)： SHIMURA YOSUKE (名古屋大 大学院工学研究科) ,  SHIMURA YOSUKE (静岡大 大学院総合科学技術研究科) ,  TAKEUCHI WAKANA (名古屋大 大学院工学研究科) ,  SAKASHITA MITSUO (名古屋大 大学院工学研究科) ,  KUROSAWA MASASHI (名古屋大 大学院工学研究科) ,  KUROSAWA MASASHI (名古屋大 未来材料システム研) ,  NAKATSUKA OSAMU (名古屋大 大学院工学研究科) ,  ZAIMA SHIGEAKI (名古屋大 大学院工学研究科) ,  ZAIMA SHIGEAKI (名古屋大 未来材料システム研)
Material： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
Volume： 116  Issue： 2(OME2016 1-17)  Page： 23-26  Publication year： Apr. 01, 2016 
JST Material Number： S0532B  ISSN： 0913-5685  Document type： Proceedings
Article type： 解説  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： optoelectronics ,  *semiconductor alloys ,  *tin ,  *band structure ,  strain ,  *thin film growth ,  dependence ,  germanium ,  silicon
Semi thesaurus term： *energy band ,  silicon photonics ,  composition dependency

JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (5)： Sn ,  混晶 ,  薄膜 ,  成長 ,  物性評価