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J-GLOBAL ID：201602268960753612   Reference number：16A1196907

走査型プローブ顕微鏡によるサファイア基板上窒化ガリウム層の表面形状及び表面電位観測

Author (3)： URUMA TAKESHI (千葉工業大学工学研究科) ,  SATO NOBUO (千葉工業大学工学研究科) ,  ISHIKAWA HIROYASU (芝浦工業大学)
Material： 電気学会論文誌 E  (IEEJ Transactions on Sensors and Micromachines)
Volume： 136  Issue： 4  Page： 96-101(J-STAGE)  Publication year： 2016 
JST Material Number： L3098A  ISSN： 1341-8939  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *microscopy ,  scanning probe microscope ,  *substrate(plate) ,  gallium nitride ,  shape measurement ,  surface potential ,  electrical measurement ,  electric potential ,  force microscope
Semi thesaurus term： *sapphire substrate ,  surface metrology

Author keywords (8)： 走査型プローブ顕微鏡 ,  周波数変調検出方式 ,  ケルビンプローブ力顕微鏡 ,  窒化ガリウム ,  scanning probe microscopy ,  frequency modulation detection ,  Kelvin probe force microscopy ,  Gallium nitride

JST classification (2)： Microscopy determination of structures  (BK01040E) ,  Materials of solid-state devices  (NC03020K)

Reference (27)：

• (1) 播磨 弘:「ワイドギャップ半導体エレクトロニクス」,応用物理,Vol. 79, p. 712 (2010)
• (2) 葛原正明:「GaN系高効率電子デバイスの開発動向」,応用物理,Vol. 81, p. 464 (2012)
• (3) 天野 浩:「窒化物ワイドギャップ半導体の現状と展望-バルクG aN 単結晶成長技術開発の観点から」,応用物理,Vol. 81, p. 455 (2012)
• (4) S. Barbet, R. Aubry, M.-A. di Forte-Poisson, J.-C. Jacquet, D. Deresmes, T. Melin, and D. Theron: “Surface potential of n-and p-type GaN measured by Kelvin force microscopy”, Appl. Phys. Lett., Vol. 93, p. 212107 (2008)
• (5) 角谷正友・福家俊郎:「MOCVD六方晶GaN薄膜成長と極性構造」,応用物理,Vol. 70, p. 178 (2001)

Terms in the title (6)： 走査型プローブ顕微鏡 ,  サファイア基板 ,  窒化ガリウム ,  表面形状 ,  表面電位 ,  観測