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J-GLOBAL ID：201602270206974637   Reference number：16A0836116

Formation of Ge dot or film in Ge/Si heterostructure by using sub-monolayer carbon deposition on top and in-situ post annealing

上部へのサブ単層カーボン蒸着とその場ポストアニーリングを用いたGe/Siヘテロ構造に於けるゲルマニウムドット又は膜の形成

Author (4)： Itoh Yuhki (Graduate School of Engineering, Tohoku University, 6-6-05, Aza-Aoba, Aramaki, Aoba-ku, Sendai 980-8579, Japan) ,  Hatakeyama Shinji (Graduate School of Engineering, Tohoku University, 6-6-05, Aza-Aoba, Aramaki, Aoba-ku, Sendai 980-8579, Japan) ,  Kawashima Tomoyuki (Graduate School of Engineering, Tohoku University, 6-6-05, Aza-Aoba, Aramaki, Aoba-ku, Sendai 980-8579, Japan) ,  Washio Katsuyoshi (Graduate School of Engineering, Tohoku University, 6-6-05, Aza-Aoba, Aramaki, Aoba-ku, Sendai 980-8579, Japan)
Material： Thin Solid Films
Volume： 602  Page： 32-35  Publication year： Mar. 01, 2016 
JST Material Number： B0899A  ISSN： 0040-6090  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *Germanium ,  *semiconductor thin film ,  epitaxy ,  *quantum dot ,  *MBE growth ,  Carbon ,  *heat treatment ,  *crystallinity ,  *uptake ,  substrate (plate) ,  silicon ,  substrate temperature ,  *morphology ,  surface structure ,  stress relaxation ,  misfit ,  solid phase epitaxy ,  surface morphology ,  structure

Author keywords (4)： Molecular beam epitaxy (MBE) ,  Si ,  Carbon ,  Ge

JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (8)： サブ ,  単層 ,  ポストアニーリング ,  Ge ,  Si ,  ヘテロ構造 ,  ゲルマニウム ,  ドット