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J-GLOBAL ID：201602272194851774   Reference number：16A1374410

Power-Loss Prediction of High-Voltage SiC-mosfet Circuits With Compact Model Including Carrier-Trap Influences

キャリア捕獲の影響を含む超小型モデルによる高電圧SiC-MOSFET回路の電力損失予測

Author (7)： Tanimoto Yuta (Grad. Sch. of Adv. Sci. of Matter, Hiroshima Univ., Hiroshima, Japan) ,  Saito Atsushi (Grad. Sch. of Adv. Sci. of Matter, Hiroshima Univ., Hiroshima, Japan) ,  Matsuura Kai (Grad. Sch. of Adv. Sci. of Matter, Hiroshima Univ., Hiroshima, Japan) ,  Kikuchihara Hideyuki (Grad. Sch. of Adv. Sci. of Matter, Hiroshima Univ., Hiroshima, Japan) ,  Mattausch Hans Jurgen (Grad. Sch. of Adv. Sci. of Matter, Hiroshima Univ., Hiroshima, Japan) ,  Miura-Mattausch Mitiko (Grad. Sch. of Adv. Sci. of Matter, Hiroshima Univ., Hiroshima, Japan) ,  Kawamoto Noriaki (Rohm Co., Ltd., Kyoto, Japan)
Material： IEEE Transactions on Power Electronics  (IEEE Trans Power Electron)
Volume： 31  Issue： 6  Page： 4509-4516  Publication year： 2016 
JST Material Number： D0211B  ISSN： 0885-8993  CODEN： ITPEE8  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *carrier capture ,  high voltage ,  *MOSFET ,  *electrical loss ,  silicon carbide ,  defect ,  density ,  switching loss ,  surface potential ,  trap density
Semi thesaurus term： *power loss ,  interface defect ,  trap density

Author keywords (6)： trap density ,  Interface defects ,  mosfet ,  silicon carbide ,  switching characteristics ,  switching loss

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (7)： キャリア捕獲 ,  モデル ,  高電圧 ,  SiC ,  MOSFET回路 ,  電力損失 ,  予測