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J-GLOBAL ID：201602278633565746   Reference number：16A0697096

High quality free-standing GaN substrates and their application to high breakdown voltage GaN p-n diodes

高品質自立GaN基板とその応用高ブレークダウン電圧GaN p-nダイオード【Powered by NICT】

Author (3)： Ohta Hiroshi (Research Center for Micro-nano Science Technology, Hosei University, Tokyo, JAPAN) ,  Nakamura Tohru (Research Center for Micro-nano Science Technology, Hosei University, Tokyo, JAPAN) ,  Mishima Tomoyoshi (Research Center for Micro-nano Science Technology, Hosei University, Tokyo, JAPAN)
Material： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conf Proc)
Volume： 2016  Issue： IMFEDK  Page： 1-2  Publication year： 2016 
JST Material Number： W2441A  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： Recent development in GaN free...

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Thesaurus term： on resistance ,  doping ,  *diode ,  drift(migration) ,  differential ,  *gallium nitride
Semi thesaurus term： 高性能化 ,  *絶縁破壊電圧 ,  *高品質 , 【Automatic Indexing@JST】

JST classification (2)： Signal theory  (ND02020G) ,  Special-purpose arithmetic and control units  (JC04030Y)

Terms in the title (6)： 高品質 ,  自立 ,  GaN ,  応用 ,  ブレークダウン電圧 ,  ダイオード