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J-GLOBAL ID：201602286406685242   Reference number：16A0514327

Wavelength-dependent photodetection characteristics of APDs fabricated by standard CMOS process

標準CMOSプロセスで作製されたAPDの受光特性の波長依存性

Author (3)： IIYAMA KOICHI (金沢大 理工研究域) ,  NAPIAH Zul Atfyi Fauzan bin Mohammed (金沢大 大学院自然科学研究科) ,  HISHIKI TAKUYA (金沢大 大学院自然科学研究科)
Material： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
Volume： 116  Issue： 52(LQE2016 1-18)  Page： 37-41  Publication year： May. 12, 2016 
JST Material Number： S0532B  ISSN： 0913-5685  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *avalanche photodiode ,  *semiconductor process ,  wide band ,  electronic circuit ,  ring (machine element) ,  solid state circuit parts ,  *sensitivity (ratio) ,  *wavelength dependence
Semi thesaurus term： *APD ,  *CMOS process ,  guard ring

JST classification (2)： Photometry and photodetectors in general  (BD07031F) ,  Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (5)： 標準 ,  CMOSプロセス ,  作製 ,  APD ,  波長依存性