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J-GLOBAL ID：201603000336155410

半導体装置、半導体装置の製造方法、インバータ回路、駆動装置、車両、及び、昇降機

Inventor：
清水 達雄

About 清水 達雄

, 
飯島 良介

About 飯島 良介


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (3)： 池上 徹真 ,  須藤 章 ,  松山 允之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2015236876
Publication number (International publication number)：2016181672
Application date： Dec. 03, 2015
Publication date： Oct. 13, 2016
Summary：
【課題】SiC表面の界面準位が低減された半導体装置を提供する。【解決手段】実施形態の半導体装置は、第1の面を備えるSiC層と、絶縁層と、Be(ベリリウム)、Mg(マグネシウム)、Ca(カルシウム)、Sr(ストロンチウム)、Ba(バリウム)の群の少なくとも一つの元素を含有し、元素の濃度のピークの半値全幅が1nm以下であり、第1の面においてSiC層中のSi(シリコン)又はC(炭素)いずれとも結合しないボンドを有するSi(シリコン)及びC(炭素)の面密度を第1の面密度とした場合に、元素の面密度である第2の面密度が第1の面密度の1/2以下である、SiC層の第1の面と絶縁層との間の領域と、を備える。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
第1の面を備えるSiC層と、 絶縁層と、 Be(ベリリウム)、Mg(マグネシウム)、Ca(カルシウム)、Sr(ストロンチウム)、Ba(バリウム)の群の少なくとも一つの元素を含有し、前記元素の濃度のピークの半値全幅が1nm以下であり、前記第1の面において前記SiC層中のSi(シリコン)又はC(炭素)いずれとも結合しないボンドを有するSi(シリコン)及びC(炭素)の面密度を第1の面密度とした場合に、前記元素の面密度である第2の面密度が前記第1の面密度の1/2以下である、前記SiC層の前記第1の面と前記絶縁層との間の領域と、 を備える半導体装置。
IPC (10)：
H01L 29/12 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/739 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/861 ,  H01L 29/868 ,  H01L 21/329 ,  H01L 29/872 ,  H01L 29/47
FI (17)：
H01L29/78 652T ,  H01L29/78 652K ,  H01L29/78 658A ,  H01L29/78 658F ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 655A ,  H01L29/78 652P ,  H01L29/06 301G ,  H01L29/06 301V ,  H01L29/91 F ,  H01L29/91 D ,  H01L29/91 B ,  H01L29/86 301F ,  H01L29/86 301D ,  H01L29/86 301P ,  H01L29/48 D ,  H01L29/48 F
F-Term (4)：
4M104AA03 ,  4M104EE06 ,  4M104FF31 ,  4M104FF35
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (4)
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