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J-GLOBAL ID：201603000580032738

エッチング方法

Inventor： ▲高▼橋 信博 ,  松本 雅至 ,  萩原 彩乃 ,  竹谷 考司 ,  松永 淳一郎
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社
Agent (1)： 高山 宏志
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2015019114
Publication number (International publication number)：2016143781
Application date： Feb. 03, 2015
Publication date： Aug. 08, 2016
Summary：

【課題】SiGeおよびSiが共存する被処理基板において、Siに対するSiGeの選択的エッチングおよびSiGeに対するSiの選択的エッチングを同じガス系を用いて同一の装置で行うことができるエッチング方法を提供する。【解決手段】シリコンとシリコンゲルマニウムを有する被処理基板をチャンバー内に配置し、エッチングガスのガス系をF2ガスおよびNH3ガスとし、F2ガスとNH3ガスとの比率を変化させることにより、シリコンに対するシリコンゲルマニウムの選択的エッチングと、シリコンゲルマニウムに対するシリコンの選択的エッチングを行う。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

シリコンとシリコンゲルマニウムを有する被処理基板をチャンバー内に配置し、エッチングガスのガス系をF2ガスおよびNH3ガスとし、F2ガスとNH3ガスとの比率を変化させることにより、シリコンに対するシリコンゲルマニウムの選択的エッチングと、シリコンゲルマニウムに対するシリコンの選択的エッチングを行うことを特徴とするエッチング方法。

IPC (1)：

H01L 21/302

FI (1)：

H01L21/302 201A

F-Term (15)：

5F004AA02 ,  5F004AA05 ,  5F004BA19 ,  5F004CA01 ,  5F004CA02 ,  5F004CA04 ,  5F004DA00 ,  5F004DA20 ,  5F004DA23 ,  5F004DA25 ,  5F004DB00 ,  5F004DB01 ,  5F004DB02 ,  5F004EA28 ,  5F004EA34