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J-GLOBAL ID：201603001418439740

強磁性トンネル接合体とそれを用いた磁気抵抗効果素子及びスピントロニクスデバイス

Inventor： 介川 裕章 ,  三谷 誠司 ,  新関 智彦 ,  大久保 忠勝 ,  猪俣 浩一郎 ,  宝野 和博 ,  白井 正文 ,  三浦 良雄 ,  阿部 和多加 ,  村本 慎伍
Applicant, Patent owner： 国立研究開発法人物質・材料研究機構
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2012039582
Publication number (International publication number)：2013175615
Patent number：5988019
Application date： Feb. 27, 2012
Publication date： Sep. 05, 2013
Claim (excerpt)：

【請求項1】 スピネル構造の結晶質酸化物のトンネルバリア層を二つの強磁性層で直接挟んだ構造からなる強磁性トンネル接合体であって、 前記トンネルバリア層は、スピネル構造を安定相とする結晶質酸化物と構成元素が同じであるがスピネル構造の原子配列が不規則化した結晶構造を持ち、空間群Fm-3mもしくはF-43mの対称性をもつ立方晶の非磁性酸化物からなり、かつ、 前記非磁性酸化物の格子定数が、前記スピネル構造を安定相とする結晶質酸化物の格子定数の半分であり、 前記トンネルバリア層が(001)配向していることを特徴とする強磁性トンネル接合体。

IPC (6)：

H01L 43/10 ( 200 6.01) ,  H01L 29/82 ( 200 6.01) ,  H01L 43/08 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8246 ( 200 6.01) ,  H01L 27/105 ( 200 6.01) ,  G11B 5/39 ( 200 6.01)

FI (5)：

H01L 43/10 ,  H01L 29/82 Z ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447 ,  G11B 5/39