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J-GLOBAL ID：201603001646757794

光電変換素子

Inventor： 新居 遼太 ,  田中 裕二 ,  兼為 直道
Applicant, Patent owner： 株式会社リコー
Agent (1)： 廣田 浩一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2015044413
Publication number (International publication number)：2016164915
Application date： Mar. 06, 2015
Publication date： Sep. 08, 2016
Summary：

【課題】室内光のような微弱な入射光の場合(例えば1000Lux程度)において、良好な光電変換効率が得られるペロブスカイト型の光電変換素子を提供すること。【解決手段】導電膜基板上に、電子輸送層を設けた第一電極、無機半導体、一般式R3NH3M1X3(式中、Rはアルキル基を表し、M1は2価の金属イオンであり、Xはハロゲン原子を表す。)で示されるペロブスカイト型結晶構造を持つ材料、P型有機半導体が順次積層されてなる光電変換素子であって、前記P型有機半導体が下記構造式(A)の構造部分または(B)の構造部分をピロロピロールー3,6-ジオン誘導体またはジチオフェン誘導体を含むものであることを特徴とする光電変換素子。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

導電膜基板上に、電子輸送層を設けた第一電極、無機半導体、一般式R3NH3M1X3(式中、Rはアルキル基を表し、M1は2価の金属イオンであり、Xはハロゲン原子を表す。)で示されるペロブスカイト型結晶構造を持つ材料、P型有機半導体が順次積層されてなる光電変換素子であって、前記P型有機半導体が下記構造式(A)の構造部分または(B)の構造部分をピロロピロールー3,6-ジオン誘導体またはジチオフェン誘導体を含むものであることを特徴とする光電変換素子。

IPC (2)：

H01L 51/46 ,  H01L 51/44

FI (6)：

H01L31/04 154Z ,  H01L31/04 152G ,  H01L31/04 152B ,  H01L31/04 154B ,  H01L31/04 154C ,  H01L31/04 112Z

F-Term (1)：

5F151AA11

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• π-Extended Narrow-Bandgap Diketopyrrolopyrrole-Based Oligomers for Solution-Processed Inverted Orga
• A diketopyrrolopyrrole-containing hole transporting conjugated polymer for use in efficient stable o
• Enhancement of the Photovoltaic Performance of CH3NH3PbI3 Perovskite Solar Cells through a Dichlorob

Cited by examiner (3)

• π-Extended Narrow-Bandgap Diketopyrrolopyrrole-Based Oligomers for Solution-Processed Inverted Orga
• A diketopyrrolopyrrole-containing hole transporting conjugated polymer for use in efficient stable o
• Enhancement of the Photovoltaic Performance of CH3NH3PbI3 Perovskite Solar Cells through a Dichlorob