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J-GLOBAL ID：201603002353138280

半導体装置および半導体装置の製造方法

Inventor： 松田 志津江 ,  横山 昇
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 日向寺 雅彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2015050766
Publication number (International publication number)：2016171232
Application date： Mar. 13, 2015
Publication date： Sep. 23, 2016
Summary：

【課題】生産性を向上できる半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】実施形態に係る半導体装置は、第1導電形の第1半導体領域と、第2導電形の第2半導体領域と、第2導電形の第3半導体領域と、第1導電形の第4半導体領域と、ゲート電極と、ゲート絶縁層と、を有する。第1半導体領域は、第1部分と、第2部分と、を有する。第1部分は、第1方向に延びている。第2部分の第1方向に直交する第2方向の長さは、第1部分の第2方向の長さよりも長い。第2部分は、第1方向に延びている。第1部分と第2部分は、第1方向および第2方向に直交する第3方向において交互に設けられている。第3半導体領域の一部は、第2部分の間に位置している。第3半導体領域の第2導電形の不純物濃度は、第2半導体領域の第2導電形の不純物濃度よりも小さい。ゲート電極は、第2部分の上に設けられている。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

第1方向に延びる複数の第1部分と、 前記第1方向に直交する第2方向の長さが前記第1部分の前記第2方向の長さよりも長く、前記第1方向に延びる複数の第2部分と、 を有し、前記第1部分と前記第2部分が、前記第1方向および前記第2方向に直交する第3方向において交互に設けられた第1導電形の第1半導体領域と、 前記第1半導体領域の上に設けられた第2導電形の第2半導体領域と、 前記第2半導体領域の上に設けられ、一部が前記第2部分の間に位置し、前記前記第2半導体領域の第2導電形の不純物濃度よりも低い第2導電形の不純物濃度を有する第2導電形の第3半導体領域と、 前記第3半導体領域の上に選択的に設けられた第1導電形の第4半導体領域と、 前記第2部分の上に設けられたゲート電極と、 前記第2部分、前記第2半導体領域、前記第3半導体領域、および前記第4半導体領域と、前記ゲート電極と、の間に設けられたゲート絶縁層と、 を備えた半導体装置。

IPC (4)：

H01L 29/78 ,  H01L 29/12 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/06

FI (8)：

H01L29/78 652H ,  H01L29/78 653C ,  H01L29/78 652E ,  H01L29/78 652C ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 658E ,  H01L29/06 301V ,  H01L29/06 301D