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J-GLOBAL ID：201603002678489534

エッチング処理用組成物及びエッチング処理方法

Inventor： 川合 健太郎 ,  森田 瑞穂 ,  足達 健二 ,  永井 隆文
Applicant, Patent owner： ダイキン工業株式会社 ,  国立大学法人大阪大学
Agent (1)： 特許業務法人三枝国際特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2015043031
Publication number (International publication number)：2016162983
Application date： Mar. 04, 2015
Publication date： Sep. 05, 2016
Summary：

【課題】低コストで、環境面への影響が少なく、安全かつ簡便な操作によりシリコン基板などの被処理物の表面に逆ピラミッド構造のテクスチャを形成することのできるエッチング処理用組成物を提供する。【解決手段】含窒素芳香族複素環化合物及びフッ化水素を含む、エッチング処理用組成物。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

含窒素芳香族複素環化合物及びフッ化水素を含む、エッチング処理用組成物。

IPC (2)：

H01L 21/308 ,  H01L 31/023

FI (2)：

H01L21/308 B ,  H01L31/04 280

F-Term (9)：

5F043AA02 ,  5F043BB02 ,  5F043DD07 ,  5F043DD08 ,  5F043DD13 ,  5F043FF10 ,  5F151CB21 ,  5F151GA04 ,  5F151GA15