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J-GLOBAL ID：201603002851464089

プロトン伝導体および燃料電池

Inventor： 嘉副 裕 ,  ピホシュ ユーリ ,  馬渡 和真 ,  北森 武彦 ,  北村 健二 ,  長田 貴弘 ,  田畑 修 ,  土屋 智由
Applicant, Patent owner： 国立研究開発法人科学技術振興機構 ,  国立研究開発法人物質・材料研究機構
Agent (3)： 大野 聖二 ,  梅田 慎介 ,  片山 健一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2015207235
Publication number (International publication number)：2016085967
Application date： Oct. 21, 2015
Publication date： May. 19, 2016
Summary：

【課題】プロトン伝導度を顕著に上昇させたプロトン伝導体の提供。【解決手段】第1のプロトン供与層20aは、表面にプロトン供与性官能基を有する層で、例えば、シリコン酸化物層で、前記プロトン供与性官能基がシラノール、リン酸、スルホン、チタノールである。第2のプロトン供与層20bも同様に、表面にプロトン供与性官能基を有する層で、例えば、シリコン酸化物層である。第1の基体10aの主面部及び第2の基体10bの主面部には表面負電荷が形成され、この負電荷が、ナノ流路に供給された水溶液中のプロトン伝導度を上昇させ、水溶液中では、水分子間のホッピングによるプロトン移動が拡散に寄与するが、基体(10a、10b)の主面に形成された負電荷が水溶液中のプロトンを引き寄せ、プロトン供与層(20a、20b)の近傍に形成される「高速移送領域」のプロトンの伝導が効率的になされ、プロトン伝導度が上昇するプロトン伝導体。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

主面に負電荷を形成する第1の基体と、 前記第1の基体の主面に設けられた第1のプロトン供与層を備え、 前記第1のプロトン供与層の厚みが20nm以下である、ことを特徴とするプロトン伝導体。

IPC (2)：

H01M 8/02 ,  H01B 1/06

FI (2)：

H01M8/02 M ,  H01B1/06 A

F-Term (6)：

5G301CD01 ,  5G301CE01 ,  5H026EE12 ,  5H026EE17 ,  5H026HH03 ,  5H026HH05