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J-GLOBAL ID：201603003098773860

磁気抵抗効果素子、磁気ヘッドアセンブリ、磁気記録再生装置及び磁気メモリ

Inventor： 藤 慶彦 ,  原 通子 ,  福澤 英明 ,  湯浅 裕美
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 日向寺 雅彦
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2012061104
Publication number (International publication number)：2013197205
Patent number：5956793
Application date： Mar. 16, 2012
Publication date： Sep. 30, 2013
Claim (excerpt)：

【請求項1】 第1電極と、 第2電極と、 前記第1電極と前記第2電極との間に設けられた第1磁性層と、 前記第1磁性層と前記第2電極との間に設けられた第2磁性層と、 前記第1磁性層と前記第2磁性層との間に設けられた非磁性層と、 前記第1電極と前記第2電極との間に設けられた、金属酸化物の酸化物層であって、前記酸化物層は、鉄を含むウスタイト構造の(111)面配向のウスタイト結晶粒を含み、前記ウスタイト結晶粒の(111)面の面間隔が0.253ナノメートル以上0.275ナノメートル以下である酸化物層と、 を備えた磁気抵抗効果素子。

IPC (5)：

H01L 43/10 ( 200 6.01) ,  H01L 43/08 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8246 ( 200 6.01) ,  H01L 27/105 ( 200 6.01) ,  G11B 5/39 ( 200 6.01)

FI (4)：

H01L 43/10 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447 ,  G11B 5/39